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Em dezembro de 1947, dois físicos dos Laboratórios Bell demonstraram o primeiro transistor, um amplificador de estado sólido

Publicado em 04/10/2026 · Última alteração em 06/10/2026

Entre 17 de novembro e 23 de dezembro de 1947, nos Laboratórios Bell, Walter Brattain e John Bardeen, sob a direção de William Shockley, descobriram o efeito transistor e demonstraram um transistor de germânio de ponto de contato. Dois contatos de ouro sobre o cristal amplificavam um sinal em até 100 vezes. A novidade foi anunciada em 30 de junho de 1948, e os três dividiram o Nobel de Física de 1956.

Na época, o sistema telefônico americano dependia de válvulas e de comutadores eletromecânicos, pouco confiáveis. Em 1945, Shockley organizou nos Laboratórios Bell um grupo de física do estado sólido para criar substitutos em semicondutor. O aparelho de 1947 era artesanal: dois contatos de ouro, muito próximos, presos por uma cunha de plástico sobre um cristal de germânio. A demonstração bem-sucedida foi em 16 de dezembro, e a apresentação à direção do laboratório, em 23 de dezembro. Em 1948, Shockley propôs o transistor de junção, mais robusto, construído em 1951. Em abril de 1954, a Texas Instruments fez o primeiro transistor de silício comercial.

Por que o silício venceu o germânio

Os transistores de germânio tinham muita fuga de corrente quando desligados e funcionavam só entre 0 e 70 °C. Os de silício operavam de –55 a 125 °C e vazavam muito menos. Em 14 de abril de 1954, a Texas Instruments obteve o primeiro transistor de silício comercial.

O problema dos Laboratórios Bell

O Computer History Museum conta que o sistema telefônico dependia de válvulas e de comutadores eletromecânicos, pouco confiáveis. Em 1945, William Shockley organizou um grupo de física do estado sólido para desenvolver substitutos em semicondutor. John Bardeen era físico teórico, e Walter Brattain, físico experimental. O objetivo era substituir tecnologias pouco confiáveis do sistema telefônico.

As semanas de dezembro de 1947

O IEEE registra que, de 17 de novembro a 23 de dezembro de 1947, Brattain e Bardeen, sob a direção de Shockley, descobriram o efeito transistor e demonstraram um transistor de germânio de ponto de contato. O dispositivo tinha dois contatos de ouro muito próximos, presos por uma cunha de plástico sobre o germânio. Uma pequena variação na corrente do emissor causava uma variação maior na corrente do coletor, com amplificação de até 100 vezes. A demonstração com sucesso foi em 16 de dezembro.

Anúncio e Nobel

A apresentação à direção foi em 23 de dezembro, e os Laboratórios Bell anunciaram a invenção em 30 de junho de 1948. Um porta-voz disse que ela poderia ter importância de grande alcance para a eletrônica e a comunicação elétrica. Bardeen, Brattain e Shockley dividiram o Nobel de Física de 1956. O IEEE a descreve como ponto de partida da eletrônica de estado sólido, com dispositivos menores e de menor consumo que os de válvulas.

Junção e silício

Em 1948, Shockley propôs o transistor de junção, mais confiável, construído em 1951. Em 1954, o químico Morris Tanenbaum fez, nos Laboratórios Bell, o primeiro transistor de silício, que a empresa não levou ao mercado. Em 14 de abril de 1954, a Texas Instruments, com Gordon Teal, obteve o primeiro transistor de silício comercial. A vantagem do silício era a faixa de operação de –55 a 125 °C, contra 0 a 70 °C do germânio. Ao fim da década, o silício era o material preferido da indústria.

Como sabemos

Datas e inventores confirmados em duas fontes institucionais independentes (IEEE e Computer History Museum).

• Fato estabelecido: Entre 17 de novembro e 23 de dezembro de 1947, Walter Brattain e John Bardeen, sob a direção de William Shockley, descobriram o efeito transistor e demonstraram um transistor de germânio de ponto de contato nos Laboratórios Bell. [1]
• Fato estabelecido: A demonstração bem-sucedida foi em 16 de dezembro de 1947, a apresentação à direção do laboratório em 23 de dezembro, e o anúncio público em 30 de junho de 1948. [2]
• Fato estabelecido: O dispositivo usava dois contatos de ouro próximos, mantidos por uma cunha de plástico, sobre germânio, e amplificava o sinal de entrada em até 100 vezes. [2] [3]
• Fato estabelecido: Em 1945, Shockley organizou nos Laboratórios Bell um grupo de física do estado sólido para criar substitutos em semicondutor às tecnologias do sistema telefônico. [2]
• Fato estabelecido: Os três cientistas dividiram o Nobel de Física de 1956. [1] [3]
• Fato estabelecido: Em 1948, Shockley inventou um projeto melhorado, o transistor de junção, construído em 1951 e mais confiável que o de ponto de contato. [3]
• Fato estabelecido: Em 14 de abril de 1954, a Texas Instruments produziu o primeiro transistor de silício comercial, numa equipe liderada por Gordon Teal. [4]
• Fato estabelecido: Os transistores de germânio tinham fuga de corrente muito pior quando desligados e funcionavam numa faixa de 0 a 70 °C; os de silício operavam de –55 a 125 °C. [4]
• Consenso científico: O transistor era uma alternativa de estado sólido às válvulas e aos comutadores eletromecânicos, pouco confiáveis, do sistema telefônico. [2] [3]
• Consenso científico: A invenção permitiu a eletrônica de estado sólido, com menos tamanho e consumo que os dispositivos de válvulas. [1]

Fontes

1. IEEE (Engineering and Technology History Wiki) — Milestones: Invention of the First Transistor at Bell Telephone Laboratories, Inc., 1947
   consultada em 04/10/2026
2. Computer History Museum (The Silicon Engine) — 1947: Invention of the Point-Contact Transistor
   consultada em 04/10/2026
3. Computer History Museum (Revolution) — Transistor invention at Bell Labs, 1947
   consultada em 04/10/2026
4. Computer History Museum (The Silicon Engine) — 1954: Silicon Transistors Offer Superior Operating Characteristics
   consultada em 04/10/2026

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